MOS管软启动电路设计

在电源电路中，拔插瞬间电容充放电瞬间会产生大电流，可以通过以下方案优化。

在做嵌入式开发时，经常会遇到客户将电源线接错的问题，所以对于定制开发的设备，常常需要设计电源防反接电路。

https://mp.weixin.qq.com/s/5W8rveh69XVzJoRX_XrSfgbeizhu 仅用于标注，适用于我这样的硬件小白。

1、控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻时，三极管Q2的基极被拉低到地，为低电平，Q2不导通，进而MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管Q1不导通，+5V_OUT 无输出。此时将 Control 设为低电平，三极管Q2关闭，电容C1与G极相连端通过电阻R2放电，电压逐渐上升到5V，起到软关闭的效果。不过从作者的描述来看，只是电路参数有区别，能通过的电流、能承受的耐压等不一样，但是软启动的原理是一样的。从公式可以看出，当电容容量越大，电压越高，时间越短，电流就会越大，从而形成浪涌电流。

最近看到一个博主分享的电路设计，正好契合我的项目需求，研究后发现它在同类方案里对我而言适配性很高，整理一下分享给大家，下面详细聊聊电路原理和应用逻辑。

1、控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻时，三极管Q2的基极被拉低到地，为低电平，Q2不导通，进而MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管Q1不导通，+5V_OUT 无输出。电阻R4是为了在 Control 为高阻时，将三极管Q2的基极固定在低电平，不让其浮空。 2、当电源 +5V_IN 刚上电时，要求控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻，即关闭三极管Q2，从而...

  NTC热敏电阻最小也有1Ω的电阻，仍有损耗。如果在无需限制电流的时候，把电阻短路，那么损耗几乎为0。开关闭合以后，负载的输入端的电容CL充电，电压逐渐上升。可以把CL的电压作为判断条件，如果V_CL电压低于设定值V_SET，将电阻接入电路；如果V_CL电压高于V_SET，将电阻短路。本电路采用PMOS作为下边的这个开关。   使用运放做比较器可以比较V_CL与V_SET，使用继电器可以实现类似于“单刀双掷”的开关功能。以下是一种设计方式。   初始状态V_CL为0，小于V_SET，运放同相输入端电压

谈起电源的缓启动（软起动），我们都知道现在大多数电子系统都要支持热插拔功能。所谓热插拔，也就是在系统正常工作时，带电对系统的某个单元进行插拔操作，且不对系统产生任何影响。

前些天在做测试项目的时候 要求： 1.做一个可控电源的通断并且在生产测试、生产老化和生产标定阶段电源通断可控的电路 2.同时防止浪涌电流的冲击保护后级电路的安全（就是保护模块） 经过一番思量最终设计的电路如下图所示： ...