【中微半导体】BAT32G139GK48FA_LQPF48最小系统板

Naiva

已于 2025-08-14 16:38:48 修改

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分类专栏： AT32F421F8P7 KiCad 文章标签：单片机嵌入式硬件笔记

于 2025-08-08 21:45:25 首次发布

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基于【中微半导体】BAT32G139GK48FA_LQFP48 单片机设计最小系统板，涵盖电源电路、复位电路、晶振、调试接口等核心部分，方便开发者快速验证芯片功能与进行二次开发，适用于学习、原型验证及产品前期评估。

【中微】BAT32G139GK48FA_LQFP48 实测

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做而论道_CS: 以ＮＰＮ型三极管为例：　　集电极 C 　　　　　 | 　　＋－－＋－－＋　　 |　Ｎ　　　　| 　　 |　Ｎ　　　　| 　　＋＝＝＝＝＝＋Ｂ－＋Ｐ　空穴少 | 　　＋＝＝＝＝＝＋　　 |　Ｎ　大量　| 　　 |　Ｎ　电子　| 　　＋－－＋－－＋　　　　　 | 　　发射极 E 制作特点：　发射区（N型）掺杂浓度高，自由电子极多！　（这些自由电子到了基区（P型）就会成为 “少数载流子”。）　基区（P型）很薄，空穴，较少。当发射结正偏时：　发射区的自由电子（多数载流子），扩散到基区。但是，由于基区的空穴（多数载流子）量少，　只有少数电子，能与空穴复合，形成 Ib。　大量电子，拥堵在基区，成为了少数载流子。此时，如果集电结反偏：　在基区滞留的自由电子，就可以以少数载流子的身份，漂移到集电区，形成集电极电流 Ic！由于制作特点，将有：Ic = β * Ib。这就是：三极管放大状态时的工作原理。基极电流 Ib，可以用 Rb 电阻来控制。当然也可以由 Ub 来控制。又因为：Ic = β * Ib。所以，用 Ub 就能控制 Ic。
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