3.6双端口RAM和多模块存储器

关键词

存储体 内存 地址 存取 端口 双通道 读写 电脑 主存 交叉编制 存储单元 多模块存储器 数据总线 存储周期 读取数据 数据存储 读取速度 编制方案

正文

在这一小节中，我们要学习的是双端口RAM 和多模块存储器这两种主存的优化技术。

一、存取周期

我们首先要回顾一个概念，叫做存取周期。存取周期就是我们可以连续地读写所需要的最短的时间间隔。

之前我们说过，对于DRAM 芯片来说，由于DRAM芯片它采用了电容这种存储元，因此对于DRAM芯片的读操作是破坏性的读出。

所以这种芯片我们进行一次读写操作之后，它所需要的恢复时间一般是比较长的，有可能恢复时间是存取时间的好几倍。

比如存取时间我们记作 r，存取周期我们记作T，有可能会达到T等于 4 倍的 r，也需要 3 倍的 r 这么多的时间来恢复，相比之下， SRAM 的恢复时间就会短很多。