【FLASH存储器系列十一】Nand Flash芯片使用指导之一

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目录

1.1 芯片简介

1.2 功能框图

1.3 存储结构

1.4 信号定义

1.5 双平面（plane）操作

1.6 Die间交错操作

1.7 错误管理

        今天以MT29F8G08AJADAWP芯片为例，说明nand flash的操作方法。

1.1 芯片简介

        这是一款镁光的容量8Gb，总线位宽8位的SLC NAND Flash，兼容ONFI 1.0标准。芯片内包含两个die，每个die为4Gb，每个die有两个plane，每个plane为2Gb，每个plane有2048个block，每个block为128K，每个block有64个page，每个page为2K，以上容量不包含每页用来存储坏块信息和ECC信息的spare area。

1.2 功能框图

1、I/O control：数据、命令、地址的输入输出口；

2、Status Register：片内的状态寄存器；

3、Command Register：命令锁存寄存器；

4、Address Register：地址由地址寄存器锁存并发送到行解码器以选择行地址，或发送到列解码器以选择列地址；

5、Control Logic：解码总线状态，判断当前属于地址输入、命令输入、或是数据输入输出周期；

6、存储阵列：两个plane，上图仅为芯片其中一个die；

7、Row decode：行地址解码；

8、column decode：列地址解码；

9、Data register：数据寄存器；

10、Cache register：缓存寄存器；

11、ECC：进行数据校验。

        注意：数据寄存器和缓存寄存器可以单独操作，在缓存操作命令下，如页缓存读、页缓存编程，可以提升数据吞吐量。这个和CPU的cahe原理是一样的。

1.3 存储结构

        Die、plane、Block、page前文已经说明，大家对照下图可以清晰地明白，不再赘述。这里说明一下每个plane上的数据寄存器和缓存寄存器，普通的页编程、页读取不需要经过数据寄存器，外部结构通过缓存寄存器直接和存储阵列交互。但是外部接口速率和存储阵列的读写速率相对较慢，以编程操作为例，如果要等外部数据全部输入进缓存寄存器，再由缓存寄存器往存储阵列里写，耗时较长，这时增加一个数据寄存器，在外部数据全部输入进缓存寄存器后，将数据拷贝到数据寄存器，然后在数据寄存器往存储阵列写数据期间，外部接口可以开启下一页数据往缓存寄存器里写，如此反复，则可以提升数据吞吐量。

1.4 信号定义

        信号定义如下表，其中CE#和R/B#分别有两个引脚，分别对应两个die：

1.5 双平面（plane）操作

        每个NAND闪存逻辑单元（LUN）被划分为多个物理平面。每个平面包含独立于其他平面的高速缓存寄存器和数据寄存器。这些平面通过低位的块地址位寻址。如存储结构图中的Note所示。

        双平面操作通过在多个平面上执行并发的读取、编程或擦除操作，更好地利用了这些物理平面上的NAND闪存阵列，显著提高了系统性能。两个平面之间的操作必须是相同类型的；例如，不能在一个平面上执行PROGRAM操作而在另一平面上执行ERASE操作。

        当发出双平面编程或擦除操作时，使用READ STATUS（70h）命令并检查先前的操作是否失败。如果READ STATUS（70h）命令指示发生错误（FAIL=1和/或FAILC=1），则使用READ STAUTS ENHANCED（78h）命令确定哪个平面操作失败。

1.6 Die间交错操作

        在有多个die的芯片中，可以通过die间交错操作提升性能。交错操作是在一个die繁忙（RDY=0）时向空闲die（RDY=1）发出的操作。但在RESET（FFh）、读标识（90h、ECh、EDh）和特性配置（EEh、EFh）操作之后，直到目标上所有die的ARDY=1之前，禁止多die交错操作。

        在交错操作期间，有两种方法可以确定操作是否完成。R/B#信号指示对应die何时完成其操作。当任何die忙时，R/B#保持为低。当R/B#变高时，对应die处于空闲状态，操作完成。或者，也可以通过READ STATUS ENHANCED（78h）命令单独报告每个die的状态。

        如果裸片（LUN）正在执行高速缓存操作，如页高速缓存编程（80h-15h），则当状态寄存器位6为1时（RDY=1），裸片（LUN）能够接受另一高速缓存操作的数据。所有操作（包括高速缓存操作）在状态寄存器位5为1时（ARDY=1）在裸片上完成。

1.7 错误管理

        通常Nand Flash出厂时就有可能存在缺陷，同时这种缺陷会影响块擦除，这样的缺陷被称为坏块。所以这时就需要坏块管理和纠错算法来保证数据的完整性。

        每个block的第一个（规范规定可以是第一个也可以是最后一个）page中有64字节的spare area，可用来标记坏块。如果一个块是有缺陷的，并且使用 8-bit 数据访问方式，则制造商应该通过设置有缺陷的块的第一个（或者最后一个）page 中，缺陷区域（这个缺陷区域规范中没有明确是什么地址）的第一个Byte 为00h，来标记有缺陷的块。如果一个块是有缺陷的并且使用16-bit数据访问方式，则通过设置缺陷块的第一个（或最后一个）page 中，缺陷区域的第一个word 为 0000h，来标记有缺陷的块。

        主机软件在对nand flash进行编程或擦除前，应先到每个block的第一个page First spare area location进行检查，判断哪些block是坏块，然后生成一张坏块表。

        为了保证数据的完整性，建议做如下操作：

        1、在编程和擦除操作后检查状态；

        2、在典型场景下，使用最小ECC要求；

        3、使用坏块管理机制和磨损均衡算法；

        芯片的大致功能介绍到这里，下一讲分享部分重要的操作指令，敬请期待！