为某8位机（地址总线为16条A15-A0）设计一个32KB容量的存储器。要求采用2732和6264芯片及74LS138译码器，其中4Kx8b的EPROM芯片2732构成8KB EPROM区，地址从0000H开始；采用8Kx8b的SRAM芯片6264构成24KB RAM区，地址从2000H开始。采用全译码法产生片选信号。试画出存储器片选信号译码电路，并指出每片存储芯片的地址范围。

<think>嗯，用户的问题是关于在8位机上设计一个32KB的存储器，使用2732 EPROM和6264 SRAM芯片，还有74LS138译码器，全译码法。需要确定片选信号电路和地址范围。首先，我需要回顾一下相关的知识，比如地址总线的位数、存储芯片的容量、译码器的使用方式等。 首先，用户提到是8位机，地址总线有16条，也就是16位地址，可以寻址64KB的内存空间（因为2^16=65536=64KB）。但用户需要设计的是32KB的存储器，可能是指整个存储系统由ROM和RAM组成，总容量32KB？不过后面提到使用2732（4K×8）和6264（8K×8），可能需要计算具体需要多少片。 不过用户的问题可能更具体：比如如何组合这些芯片，使用74LS138进行全译码，确定每个芯片的地址范围。首先，需要明确每个芯片的容量。2732是4KB的EPROM（4K×8），6264是8KB的SRAM（8K×8）。假设用户需要总容量是32KB，那么可能需要多个这样的芯片组合。但问题中可能没有明确说明ROM和RAM各自的大小，所以需要进一步分析。 用户给出的例子中，引用了之前的题目，比如使用2732和6116设计16KB ROM和8KB RAM。而当前的问题可能类似，但具体参数不同。现在用户的问题是用2732和6264，设计32KB的存储器，可能包括ROM和RAM部分，但需要确定各自的容量分配。或者可能用户只是需要将多个2732和6264组合成32KB的总容量？不过2732是4KB，6264是8KB，可能需要计算如何组合到总容量32KB。 不过根据用户的问题描述，可能具体是要设计一个包含EPROM和SRAM的32KB存储器，使用这两种芯片和74LS138。需要先确定各芯片的数量。例如，假设用户想要16KB的EPROM和16KB的SRAM，那么EPROM用2732的话，需要4片（4×4KB=16KB），SRAM用6264的话，需要2片（2×8KB=16KB）。但总容量是32KB。或者可能其他组合？ 不过用户的问题可能更偏向于如何将多个芯片组合起来，使用全译码法，通过74LS138生成片选信号，并为每个芯片分配唯一的地址范围。这里的关键是确定地址线如何连接，译码器的输入如何选择，以及如何确保每个芯片的地址范围唯一且连续。 首先，地址总线是16位（A0-A15），所以总寻址空间是64KB。全译码意味着所有高位地址线都参与译码，避免地址重叠。对于每个存储芯片，需要确定其地址范围，即高位地址线经过译码后的片选信号，以及低位地址线直接连接到芯片的地址引脚。 对于2732 EPROM，容量是4K×8，所以需要12条地址线（A0-A11），因为2^12=4096=4K。同样，6264 SRAM是8K×8，需要13条地址线（A0-A12）。所以，当连接这些芯片时，低位地址线直接连接到芯片，高位地址线用于译码产生片选。 接下来，使用74LS138译码器。74LS138是3-8译码器，有三个选择输入（A、B、C），三个使能端（G1, G2A, G2B）。当G1=1，G2A=G2B=0时，译码器工作，根据C、B、A的输入选择Y0-Y7中的一个输出作为片选信号。 假设用户需要设计32KB的存储器，可能由多个EPROM和SRAM组成。例如，假设用户需要16KB的EPROM（4片2732）和16KB的SRAM（2片6264），总容量32KB。或者可能其他组合，但需要明确。 不过根据用户给出的示例中的引用[1]，其中用8片6264构成64KB，每片8KB，所以可能需要类似的思路。但这里用户的问题是用2732和6264组成32KB，所以可能需要计算芯片数量。例如，假设使用4片2732（4×4KB=16KB）和2片6264（2×8KB=16KB），总32KB。或者可能其他组合，但用户可能希望具体说明如何安排。 接下来需要确定每个芯片的地址范围。首先，对于全译码，所有高位地址线都参与译码。例如，对于2732（4KB），需要12位地址线（A0-A11），剩下的高位地址线（A12-A15）用于译码。但74LS138有3个输入，所以可能需要将A12-A15中的某些位作为译码器的输入，而其他高位作为使能条件。 例如，对于2732，假设使用A12、A13、A14作为译码器的输入，那么每个2734芯片的地址范围由这三个位的组合决定。但可能需要更多的逻辑，因为地址总线是16位，而2732需要12位地址，所以高位地址是A12-A15。但16位地址线，A0-A11是12位，所以剩下的A12-A15是4位。如何用这4位来生成片选信号？ 如果使用全译码，那么需要将这4位全部用于译码。例如，使用A12-A15作为译码器的输入，但74LS138只有3个输入，所以可能需要级联或其他方法。或者，将某些高位作为使能条件，而用较低的几位作为译码器的输入。 例如，假设将A15作为译码器的使能条件的一部分，而A12-A14作为译码器的输入。例如，当A15=0时，选中EPROM，而A15=1时选中SRAM？或者根据地址分配的需求，确定高位地址的组合。 用户可能需要将整个32KB的地址范围分配在某个区域，例如从0000H到7FFFH（32KB），或者其他的位置。但用户的问题中没有明确地址范围，因此需要假设或由设计者决定。 或者，用户可能希望将EPROM和SRAM分别放置在特定的地址范围。例如，EPROM放在低地址，SRAM放在高地址，或者分开不同的区域。 例如，假设用户希望将EPROM的地址范围从0000H到3FFFH（16KB），使用4片2732（4×4KB=16KB），每片占据4KB。而SRAM的地址范围从4000H到7FFFH（16KB），使用2片6264（2×8KB=16KB）。 在这种情况下，对于EPROM（4片2732），每个芯片需要4KB的地址空间。因此，A0-A11连接到芯片的地址引脚，剩下的A12-A15用于译码。因为4片需要4个片选信号，所以需要用两位地址线来选择，比如A12和A13，但74LS138是3-8译码器，可能需要使用更多的地址线作为使能条件。 或者，考虑将高位地址线A14和A15作为译码器的使能条件，而A12和A13作为译码器的输入。例如，当A15=0且A14=0时，使能译码器，然后A12和A13选择不同的片选信号。但这样可能只能产生4个片选，而需要4个EPROM片，所以可能可行。或者使用A12-A14作为译码器的输入，而A15作为使能的一部分。 这需要更详细的分析。例如，假设EPROM占据低16KB（A15=0），SRAM占据高16KB（A15=1）。对于EPROM部分，16KB需要4片4KB的2732，因此需要4个片选信号。使用A12和A13两位来选择，因为4=2^2，所以可能需要将A12和A13连接到译码器的输入，而译码器的使能由A14和A15控制。例如，当A15=0且A14=0时，译码器工作，A12和A13作为输入，得到Y0-Y3，分别选择4个2732芯片。每个2732的地址范围由A12和A13的不同组合决定。 例如，第一个2732的地址范围是0000H-0FFFH（A15=0, A14=0, A13=0, A12=0），第二个是1000H-1FFFH（A13=0, A12=1），第三个是2000H-2FFFH（A13=1, A12=0），第四个是3000H-3FFFH（A13=1, A12=1）。但这样需要译码器的使能条件为A15=0和A14=0，此时译码器的输入为A12和A13，但74LS138是3-8译码器，需要三个输入，所以可能需要将A12、A13、A14中的某三位作为输入，同时将其他高位作为使能条件。 或者，可能更合理的是，使用A13、A14、A15作为译码器的使能条件，而将A12和其他地址线作为输入。例如，对于2732的4KB，需要12位地址，所以A0-A11连接到芯片。剩下的A12-A15四位，可能需要将A12、A13、A14作为译码器的输入，而A15作为使能条件的一部分。 例如，假设将A15连接到译码器的G2A或G2B，当A15=0时，使能译码器。然后，A12、A13、A14作为C、B、A输入，这样可以得到8个输出，每个对应不同的地址块。例如，Y0对应A14=0, A13=0, A12=0，地址范围0000H-0FFFH（4KB），Y1对应A12=1，地址范围1000H-1FFFH，依此类推。但这样每个输出对应4KB的块，所以每个2732占据一个块，因此需要4片的话，使用Y0-Y3，每个对应4KB，而Y4-Y7可能未使用。或者用户可能需要更多片，但根据问题描述，用户可能用2732和6264组合。 但这里可能需要同时处理EPROM和SRAM的片选。例如，EPROM使用Y0-Y3（4片×4KB=16KB），SRAM使用Y4-Y5（2片×8KB=16KB），总32KB。但如何让SRAM的每个芯片占据8KB？因为6264是8KB，需要13位地址线（A0-A12）。因此，对于SRAM，A0-A12连接到芯片，而剩下的A13-A15用于译码。此时，可能需要不同的译码方式。 或者，将整个地址空间分为多个区域，其中EPROM和SRAM分别占据不同的区域，每个区域的大小对应芯片的容量。例如，EPROM使用低地址，SRAM使用高地址。或者反过来。 这里可能需要更系统的步骤： 1. 确定每个芯片的地址线需求： - 2732 EPROM：4KB → 12位地址线（A0-A11） - 6264 SRAM：8KB → 13位地址线（A0-A12） 2. 确定总容量和芯片数量： - 假设总容量为32KB，可能由多个EPROM和SRAM组成。例如，4片2732（4×4=16KB）和2片6264（2×8=16KB），总32KB。 3. 分配地址空间： - 需要将64KB的地址空间中的32KB分配给这些芯片。假设从0000H到7FFFH（32KB）。 4. 设计译码电路： - 使用74LS138，将高位地址线（A13-A15）作为译码器的输入或使能信号，以生成片选信号。 例如，EPROM部分： - 每个2732需要4KB，所以需要12位地址（A0-A11），剩下的A12-A15用于译码。但若总地址空间是32KB（到7FFFH），则A15为0（因为7FFFH的二进制是0111 1111 1111 1111）。所以A15=0，A14-A12用于区分不同的4KB块。 但74LS138有三个输入，假设将A12、A13、A14作为译码器的输入，而A15作为使能条件的一部分。例如，当A15=0时，使能译码器。译码器的输入为A14, A13, A12，这样每个输出对应一个4KB的块。例如： - Y0：A14=0, A13=0, A12=0 → 0000H-0FFFH - Y1：A14=0, A13=0, A12=1 → 1000H-1FFFH - Y2：A14=0, A13=1, A12=0 → 2000H-2FFFH - Y3：A14=0, A13=1, A12=1 → 3000H-3FFFH - 依此类推，直到Y7。但EPROM需要4片，所以使用Y0-Y3，每个对应一个2732。 然后，SRAM部分使用6264，每个需要8KB，所以需要13位地址线（A0-A12）。剩下的A13-A15用于译码。例如，当A15=0，A14=1，A13=0，选中SRAM的第一个芯片。但需要更详细的逻辑。 或者，将SRAM的地址范围放在较高的地址。例如，当A15=0，A14=1时，选中SRAM。由于每个6264是8KB，占据13位地址，所以A0-A12连接到芯片，而A13和A14用于译码。例如，当A15=0，A14=1，A13=0时，选中第一个6264（地址范围4000H-5FFFH），当A14=1，A13=1时，选中第二个6264（6000H-7FFFH）。但这样需要如何生成片选信号？ 这里可能需要另一个译码器或使用不同的使能条件。但用户希望使用一个74LS138，所以需要合理设计。 可能的方案是： - 将74LS138的使能端配置为G1=1（高电平），G2A=G2B=0（低电平）。因此，当G1=1且G2A=G2B=0时，译码器工作。 - 将A15连接到G1，这样当A15=1时，译码器被使能。但这样可能无法覆盖地址范围0000H开始的区域。或者，将A15连接到G2A或 G2B，使得当A15=0时，译码器工作。 例如，假设将G1接高电平（VCC），G2A接A15的反相，G2B接地。这样，当A15=0时，G2A=0（因为A15经过反相器变为高电平？或者需要重新考虑逻辑电平）。或者，直接将G2A和 G2B连接到A15和某个其他信号，使得当A15=0时，G2A=0，G2B=0，从而使能译码器。 例如，假设当A15=0时，译码器使能（G2A和G2B=0），此时译码器的输入为A12, A13, A14。这样，译码器的输出Y0-Y7对应不同的组合，每个对应一个4KB的块，从0000H到7FFFH（因为A15=0，地址范围是0000H-7FFFH，共32KB）。然后，每个Y输出可以对应一个2732或一组SRAM芯片。 但SRAM的6264是8KB，需要占据两个连续的4KB块。例如，Y0和Y1组合成一个8KB的区域，对应一个6264芯片。因此，可能需要将译码器的输出进行逻辑组合。例如，将Y0和Y1通过或门连接到一个6264的片选，这样当地址在Y0或 Y1时，该6264被选中，占据8KB的地址空间（0000H-1FFFH）。 但这样可能需要额外的逻辑门，而用户希望使用74LS138直接生成片选。因此，可能需要重新考虑译码器的输入分配。 另一种方法是，将译码器的输入设置为A13, A14, A15，而将低位地址线用于芯片内部寻址。例如，对于6264（8KB），需要A0-A12，所以剩下的A13-A15用于译码。但地址总线是16位，所以A13-A15是高位。例如，当A15=0，A14=0，A13=0时，选中第一个6268芯片，地址范围0000H-1FFFH。但这样每个6264占据8KB，需要三个地址线（A13-A15）中的某些组合。 或者，可能更简单的做法是将地址空间划分为多个块，每个块对应一个芯片。例如，使用译码器的输出Y0-Y3来选择4个2732（每个4KB），共16KB，然后Y4-Y5选择2个6264（每个8KB），共16KB，总32KB。但如何通过译码器实现？ 例如，将A12、A13、A14作为译码器的输入（C, B, A），而A15作为使能条件的一部分。当A15=0时，译码器工作。此时： - Y0对应A14=0, A13=0, A12=0 → 地址范围0000H-0FFFH（4KB），选通第一个2732。 - Y1对应A12=1 → 1000H-1FFFH，第二个2732。 - Y2对应A13=1 → 2000H-2FFFH，第三个2732。 - Y3对应A13=1, A12=1 → 3000H-3FFFH，第四个2732。 - Y4对应A14=1 → 4000H-4FFFH，此时可能需要将Y4与Y5组合来选择6264的8KB空间。例如，Y4和 Y5的片选信号通过或门连接到6264的片选，当地址在4000H-5FFFH时选中第一个6264（8KB），地址范围4000H-5FFFH。但这样需要额外的逻辑门，而用户可能希望仅使用74LS138的输出直接连接。 这可能不太方便，因此可能需要调整译码器的输入，使得每个6264的片选信号由译码器的一个输出直接控制，覆盖8KB的地址范围。例如，当A12为最高位地址线用于区分4KB块，但如何做到？ 或者，考虑对于6264，需要13位地址线（A0-A12），所以高位地址线是A13-A15。因此，对于6264的片选，需要A13-A15的某些组合。例如，若一个6264占据地址4000H-5FFFH，则A15=0（因为4000H-5FFFH在A15=0的范围内），A14=1，A13=0，A12=0到1（因为5FFFH的二进制是0101 1111 1111 1111）。此时，A14=1，A13=0，A12可以是0或1，因为A12是地址线的第12位，对应6264的内部地址A12，因此高位地址线A13、A14、A15需要稳定来选择片选。 因此，6264的片选信号应该当A15=0，A14=1，A13=0时有效。此时，译码器可能需要将A13、A14、A15作为输入，但译码器的输入可能不足，因为A15是最高位。例如，将A15连接到译码器的使能端，当A15=0时，译码器工作，输入为A13和 A14，但这样只能得到4个输出，可能不够。 这可能变得复杂，因此需要重新整理思路： 总地址总线是16位（A0-A15），寻址64KB。用户需要设计32KB的存储器，可能位于某个连续的32KB空间，例如低32KB（0000H-7FFFH）。 使用74LS138译码器，全译码方式，所有高位地址线参与译码。 假设EPROM和SRAM的地址范围如下： - EPROM：0000H-3FFFH（16KB），使用4片2732（4×4KB） - SRAM：4000H-7FFFH（16KB），使用2片6264（2×8KB） 对于EPROM部分： 每个2732需要4KB，地址线A0-A11。剩余的高位地址线A12-A15需要参与译码。 4片EPROM需要4个片选信号。74LS138有8个输出，可以使用其中的Y0-Y3。 译码器的输入需要根据A12-A14（因为A15在低32KB时为0）。 例如，将译码器的输入设为A12, A13, A14，而A15=0作为使能条件。当A15=0时，译码器使能。 因此，译码器的使能条件：G1=1（接高电平），G2A和 G2B=0。所以需要将A15连接到G2A或 G2B，使得当A15=0时，G2A=0，G2B=0。例如，将G2A接A15，G2B接地，这样当A15=0时，G2A=0，G2B=0，译码器工作。 译码器的输入A, B, C分别接A12, A13, A14。这样，每个输出对应不同的A14, A13, A12组合。例如： - Y0：A14=0, A13=0, A12=0 → 地址0000H-0FFFH（第一个2732） - Y1：A14=0, A13=0, A12=1 → 1000H-1FFFH（第二个2732） - Y2：A14=0, A13=1, A12=0 → 2000H-2FFFH（第三个2732） - Y3：A14=0, A13=1, A12=1 → 3000H-3FFFH（第四个2732） - Y4-Y7：当A14=1时，对应地址4000H-7FFFH，这部分可以用于SRAM。 对于SRAM部分： 每个6264需要8KB，地址线A0-A12。剩余的高位地址A13-A15需要参与译码。 因为SRAM的地址范围是4000H-7FFFH（共16KB），即A15=0，A14=1，A13可以是0或1，因为： - 4000H-5FFFH：A15=0, A14=1, A13=0 → 16KB中的前8KB - 6000H-7FFFH：A15=0, A14=1, A13=1 → 后8KB 但每个6264是8KB，所以需要两个片选信号，每个覆盖8KB。如何用74LS138的输出Y4-Y7来生成这两个片选？ 例如，当A14=1，A13=0，A12=0（Y4输出有效），此时地址范围是4000H-4FFFH。但这是4KB，不足以覆盖8KB。因此，可能需要将A12作为无关位，或者将译码器的输入调整为A13, A14, A15，但这样可能无法覆盖。 或者，可能将SRAM的片选信号由Y4和 Y5组合而成，当Y4或 Y5有效时，选中第一个6264，覆盖4000H-5FFFH。例如，当A14=1，A13=0，A12=0 → Y4有效（4000H-4FFFH），而A12=1 → Y5有效（5000H-5FFFH），但这样每个Y输出对应4KB，需要将两个4KB块合并为一个8KB块。因此，可能需要将Y4和 Y5通过或门连接到一个6264的片选端，这样当地址在4000H-5FFFH时，该芯片被选中。同样，Y6和 Y7通过或门连接到第二个6264的片选，覆盖6000H-7FFFH。 这样，每个6264需要两个译码器输出通过或门连接，但用户的问题中可能希望仅使用译码器直接输出，因此可能需要调整译码器的输入，使得每个6264的片选对应一个译码器输出，覆盖8KB。 例如，调整译码器的输入为A13, A14, A15，但此时A15=0，所以输入为A13和 A14，但译码器需要三个输入，所以可能需要其他方式。例如，将A15固定为0，译码器的输入为A13, A14, 和另一个地址线，比如A12，但这样可能无法直接覆盖8KB块。 另一种思路：对于6264的8KB地址空间，需要A0-A12，因此高位地址线是A13-A15。要使一个片选信号覆盖8KB，必须确保A13在某个固定的值，而A14和 A15参与译码。例如，对于第一个6264，地址范围4000H-5FFFH，A15=0，A14=1，A13=0。此时，A13=0，所以当A13=0时，选中该芯片，而A14=1，A15=0。因此，可以将A13作为译码器的输入，同时将A14和 A15作为使能条件。 例如，译码器的使能条件是A15=0，A14=1。此时，译码器的输入为A13, A12, 和另一个线，但可能不够。或者，使用另一个译码器或调整现有译码器的连接方式。 这可能变得复杂，所以可能需要重新考虑整个译码方案： 1. EPROM部分：4片2732，每片4KB，地址0000H-3FFFH。 - 使用74LS138的Y0-Y3，输入A12, A13, A14，当A15=0时使能译码器。 2. SRAM部分：2片6264，每片8KB，地址4000H-5FFFH和6000H-7FFFH。 - 需要两个片选信号，每个覆盖8KB。 - 可能使用译码器的Y4和 Y5，但需要调整输入，使得每个输出覆盖8KB。 如何让Y4和 Y5各覆盖8KB？ 假设对于SRAM，A15=0，A14=1，A13作为选择信号。例如： - 第一个6264：A15=0, A14=1, A13=0 → 地址4000H-5FFFH（A13=0，A14=1，A15=0） - 第二个6264：A15=0, A14=1, A13=1 → 地址6000H-7FFFH（A13=1，A14=1，A15=0） 此时，每个6264的片选信号需要当A15=0、A14=1、A13=0或1时有效。因此，可以使用译码器的两个输出，每个对应不同的A13值，同时A14=1，A15=0。 但译码器的输入是A12, A13, A14，当A15=0时使能。当A14=1，A15=0，那么输入A14=1，因此译码器的输入为A12, A13, A14=1。因此，对于A14=1，A13可以是0或1，A12可以是0或1。译码器的输出Y4-Y7对应不同的组合： - Y4：A14=1, A13=0, A12=0 → 4000H-4FFFH（4KB） - Y5：A14=1, A13=0, A12=1 → 5000H-5FFFH（4KB） - Y6：A14=1, A13=1, A12=0 → 6000H-6FFFH（4KB） - Y7：A14=1, A13=1, A12=1 → 7000H-7FFFH（4KB） 但每个6264需要8KB，所以需要将两个4KB块合并。例如，将Y4和 Y5通过或门连接到第一个6264的片选，Y6和 Y7连接到第二个6264的片选。这样，当地址在4000H-5FFFH时，第一个6264被选中，占据8KB；同样，6000H-7FFFH对应第二个6264。 因此，译码器的输出需要经过逻辑门组合来生成片选信号。这可能涉及到额外的硬件，但用户的问题可能接受这种方式。 总结： - EPROM的片选由Y0-Y3直接连接，每个输出对应4KB。 - SRAM的片选由Y4-Y5和Y6-Y7组合，通过或门连接，每个组合对应8KB。 因此，电路设计中，除了74LS138外，还需要或门来合并译码器的输出。 但用户的问题可能希望仅使用74LS138，所以可能需要另一种方式，例如调整译码器的输入，使得每个输出对应8KB。 这可能需要改变译码器的输入连接。例如，使用A13和 A14作为译码器的输入，而将A12作为无关位（即不参与译码），这样每个输出对应8KB的块。例如： - 输入A为A13， B为A14， C为A15？但这样可能需要重新考虑译码器的使能条件。 例如，当A15=0，译码器使能，输入为A13, A14, 和 A12，这样每个输出对应4KB。但若忽略A12，即A12可以是任意值，那么每个输出实际上对应两个4KB块，合并成8KB。例如，Y4对应A14=1, A13=0，无论A12是0还是1，因此地址范围4000H-5FFFH（当A12=0时4000H-4FFFH，A12=1时5000H-5FFFH，合并为4000H-5FFFH，共8KB）。这需要将A12不连接到译码器，而是作为芯片的内部地址线。但这样译码器的输入只有A13和 A14，而第三个输入可能固定为0或1，或者使用其他方式。 这可能不现实，因为74LS138需要三个输入。因此，可能需要将A12连接到译码器的输入，但将其视为无关位。例如，当译码器的输出Y4有效时，对应A14=1, A13=0, A12=0，而Y5对应A14=1, A13=0, A12=1。将Y4和 Y5通过或门连接到SRAM的片选，这样当地址在4000H-5FFFH时，片选有效，此时A12可以是0或1，作为芯片的内部地址线A12。这样，每个SRAM芯片的地址线A12由地址总线的A12位驱动，因此当地址在4000H-5FFFH时，A12可以是0或1，覆盖整个8KB空间。 因此，第一个SRAM的片选由Y4和 Y5的或逻辑产生，地址范围4000H-5FFFH，第二个由Y6和 Y7的或逻辑产生，地址范围6000H-7FFFH。这样，每个SRAM芯片需要两个译码器输出通过或门连接。 因此，最终的译码电路如下： - 74LS138的使能端G1接高电平，G2A接A15（反相后？），G2B接地，确保当A15=0时译码器工作。 - 译码器的输入A、B、C分别接A12, A13, A14。 - EPROM的片选由Y0-Y3直接连接，每个对应4KB。 - SRAM的片选由Y4与Y5通过或门连接到第一个6264的片选，Y6与Y7通过或门连接到第二个6264的片选。 这样，每个SRAM芯片的地址范围是： - 第一个6264：4000H-5FFFH（当Y4或 Y5有效时） - 第二个6264：6000H-7FFFH（当Y6或 Y7有效时） 因此，地址范围分配如下： EPROM： - 芯片1：0000H-0FFFH（Y0） - 芯片2：1000H-1FFFH（Y1） - 芯片3：2000H-2FFFH（Y2） - 芯片4：3000H-3FFFH（Y3） SRAM： - 芯片1：4000H-5FFFH（Y4+Y5） - 芯片2：6000H-7FFFH（Y6+Y7） 这样，总容量为4×4KB + 2×8KB = 16KB + 16KB = 32KB，符合要求。 最后，需要确保每个芯片的片选信号在正确的地址范围内有效，并且地址唯一且连续。同时，全译码法要求所有高位地址线参与译码，避免地址重叠。 可能还需要验证地址范围的计算是否正确。例如，对于第一个SRAM芯片，地址范围4000H-5FFFH： - A15=0，A14=1，A13=0，A12可以是0或1。因此，当地址在4000H-4FFFH时，A12=0，Y4有效；在5000H-5FFFH时，A12=1，Y5有效。因此，通过或门将Y4和 Y5合并，可以覆盖整个8KB的地址范围。 同样，第二个SRAM芯片的地址范围6000H-7FFFH对应Y6和 Y7的合并。 总结步骤： 1. 确定每个芯片的地址线连接： - 2732：A0-A11 - 6264：A0-A12 2. 确定译码器的输入和使能条件： - 译码器74LS138的使能条件：G1=1，G2A= A15（原逻辑，因为当A15=0时译码器工作），G2B=0。 - 输入C、B、A分别接A14, A13, A12（根据真值表，输入顺序可能需要注意，通常C是最高位，A是最低位）。 3. 生成片选信号： - EPROM的片选由Y0-Y3直接连接。 - SRAM的片选由Y4+Y5和 Y6+Y7通过或门连接。 4. 地址范围计算： - 确保每个芯片的地址范围正确且连续。 可能存在的错误点： - 译码器的输入顺序是否正确？需要确认74LS138的输入ABC对应的地址线顺序，例如C接最高位，A接最低位。例如，如果输入为A12, A13, A14分别接A, B, C，那么译码器的输出Y0对应A14=0, A13=0, A12=0，即二进制000，对应地址0000H-0FFFH。 另外，需要验证地址计算是否准确。例如，当A15=0，A14=1，A13=0，A12=0时，地址是4000H（0 1 0 0 0000 0000 0000）。即，A15=0，A14=1，A13=0，A12=0，低位地址全0，所以起始地址是4000H。当A12=1时，地址变为5000H，因此Y5对应的地址是5000H-5FFFH。合并Y4和 Y5得到4000H-5FFFH，共8KB。 因此，整个设计是可行的。</think>### 存储系统设计步骤分析 #### 1. 确定芯片规格及数量 - **EPROM 2732**: 容量$4KB$ (需12根地址线$A0-A11$) - **SRAM 6264**: 容量$8KB$ (需13根地址线$A0-A12$) - 总容量需求$32KB$，需$4$片2732 ($4 \times 4KB$)和$2$片6264 ($2 \times 8KB$)[^1] #### 2. 地址空间分配 采用全译码法，确保每个芯片地址唯一： - **EPROM地址范围**：$0000H-3FFFH$ ($16KB$) - **SRAM地址范围**：$4000H-7FFFH$ ($16KB$) #### 3. 译码器连接设计 使用**74LS138译码器**，连接方式如下： 1. **使能端配置**： - $G1$接高电平 - $\overline{G2A}$接地址线$A15$（保证$A15=0$时译码器工作） - $\overline{G2B}$接地 2. **输入信号**： - $A$接$A12$，$B$接$A13$，$C$接$A14$[^3] #### 4. 片选信号生成 - **EPROM片选**： - $Y0$: $0000H-0FFFH$ (芯片1) - $Y1$: $1000H-1FFFH$ (芯片2) - $Y2$: $2000H-2FFFH$ (芯片3) - $Y3$: $3000H-3FFFH$ (芯片4) - **SRAM片选**： - $Y4+Y5$通过或门生成第一个6264片选（$4000H-5FFFH$） - $Y6+Y7$通过或门生成第二个6264片选（$6000H-7FFFH$） #### 5. 地址线连接 - **EPROM 2732**：$A0-A11$直连CPU地址总线 - **SRAM 6264**：$A0-A12$直连CPU地址总线 ### 电路实现示意图 ``` +-----------------------------+ | 74LS138 | A12|A Y0 -- EPROM1_CS | A13|B Y1 -- EPROM2_CS | A14|C Y2 -- EPROM3_CS | A15|G2A Y3 -- EPROM4_CS | GND|G2B Y4 --| OR |-- SRAM1_CS | VCC|G1 Y5 --| | | | Y6 --| OR |-- SRAM2_CS | | Y7 --| | | +-----------------------------+ ``` ### 地址范围验证 1. **EPROM芯片1** ($Y0$有效)： - 地址范围：$0000H-0FFFH$ - 二进制条件：$A15A14A13A12=0000$ 2. **SRAM芯片1** ($Y4+Y5$有效)： - 地址范围：$4000H-5FFFH$ - 二进制条件：$A15A14A13=010$ (忽略$A12$变化) ### 关键设计要点 1. 全译码确保地址唯一性，避免空间重叠 2. 通过或门扩展译码器输出覆盖更大地址空间 3. 高位地址线$A15$参与译码器使能控制[^1]