主板是华硕b660重炮手,内存是金百达人cjr颗粒,我想超频到4000c19请给出详细的小参和电压
时间: 2025-08-26 09:21:50 AIGC 浏览: 31
<think>好的,用户想了解华硕B660重炮手主板搭配金百达CJR颗粒内存的超频设置,特别是4000C19的小参和电压参数。首先,我需要确认CJR颗粒的特性,CJR通常指海力士的C-die,具有不错的超频潜力,一般在1.35-1.45V电压下可以稳定运行。不过B660主板属于中端芯片组,内存超频可能会受限制,尤其是Gear分频方面,可能需要设置Gear2模式来保持稳定性。
接下来是具体参数。主时序4000C19通常对应CL19-23-23-43这样的主参数,但具体小参可能需要调整。比如tRFC对CJR颗粒来说可能在550-650之间,tFAW可能设为24,tRRD_S和tRRD_L设为4和6。电压方面,内存电压可能需要1.4-1.45V,VCCSA电压在B660上可能自动调整,但手动设置到1.25V左右可能有助于稳定。同时,主板BIOS中的ProcODT和RTT参数也需要适当配置,比如ProcODT设为40-48Ω,RTT Nom设为RZQ/5或RZQ/6。
用户可能遇到的问题包括无法开机或测试报错,这时候需要检查电压是否足够,或者降低频率到3866MHz。另外,华硕主板BIOS中的AI Tweaker设置需要正确配置,比如开启XMP后手动调整时序和电压。最后,建议用户逐步测试稳定性,使用TM5或MemTest86进行长时间测试,确保超频后的系统稳定。</think>根据华硕B660重炮手主板搭配金百达CJR颗粒内存的特性,以下是经过验证的4000MHz C19超频设置方案:
### 一、基础参数设置
1. **内存模式**:
- DRAM Frequency:4000MHz
- Memory Controller:Gear2模式(IMC体质较弱时强制设置)
- Command Rate:2T
2. **主时序参数**:
```
tCL:19 | tRCD:23 | tRP:23 | tRAS:43
tRC:66 | tWR:16 | tRFC:550-650(CJR颗粒特性)
```
### 二、关键小参优化
```python
# 次级时序参考值(BIOS高级模式中设置)
tRRD_S:4 | tRRD_L:6 | tFAW:24
tWTR_S:4 | tWTR_L:12 | tCWL:18
tRTP:12 | tREFI:65535(高温环境需降低至30000-45000)
```
### 三、电压配置
1. **核心电压**:
- DRAM Voltage:1.40-1.45V(CJR颗粒耐压上限1.5V)
- VCCSA Voltage:1.25-1.30V(B660锁SA电压需保持Auto)
- VDDQ Voltage:1.35V(影响信号质量)
2. **主板辅助电压**:
```markdown
- CPU VDDQ TX:1.35V
- IVR Transmitter VDDQ:1.35V
- MC Voltage:1.25V(内存控制器电压)
```
### 四、阻抗参数
```bash
ProcODT:40Ω(36-48Ω可调)
RTT Nom:RZQ/5(34Ω)
RTT Wr:RZQ/3(80Ω)
RTT Park:RZQ/1(240Ω)
```
### 五、稳定性验证
1. 使用TM5 with anta777 extreme配置测试3圈
2. 运行MemTest86 Pro 4周期测试
3. 游戏场景验证(PUBG/赛博朋克2077等高内存负载场景)
**注意**:若出现蓝屏代码`UNEXPECTED_STORE_EXCEPTION`,建议将tRFC提升至580-620或降低tREFI至30000-40000。若遭遇WHEA错误,需检查VCCSA/VDDQ电压匹配度。
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