紧缺！通用DRAM将涨价！

包括三星电子和SK海力士在内的主要内存公司正致力于下一代HBM（高带宽内存）的商业化。因此，通用DRAM的产能和晶圆投入正在减少，对价格构成上涨压力。

据业内人士9月4日透露，预计今年下半年和明年初，通用DRAM的价格将高于最初的预期。

包括三星电子和SK海力士在内的韩国主要内存公司正致力于准备从今年开始向NVIDIA供应HBM4（第六代HBM）。据报道，由于NVIDIA在今年第三季度要求大量提供HBM4样品，两家公司都在增加HBM4样品的晶圆投入。预计每月产量为1万至2万片晶圆，考虑到这些只是样品，这是一个相当大的数量。

HBM是一种垂直堆叠多个DRAM以增强数据处理性能的内存产品。目前已商业化的HBM3E采用8层和12层两种配置。目前正在进行样品测试的HBM4也采用12层配置。

然而，HBM4拥有诸多技术进步，例如与上一代产品相比，I/O（输入/输出端口）数量翻倍，DRAM容量也更大，这使得初期良率的保障变得困难。如果良率低，晶圆投入将不可避免地增加，以满足客户需求。

一位半导体业内人士解释说：“各大内存厂商正全力以赴，准备明年将HBM业务拓展到NVIDIA。HBM晶圆投入越多，通用DRAM的供应就越紧张，这可能会推高今年下半年和明年的价格。”

由于大多数设备投资都集中在HBM上，通用DRAM的产能正在逐渐下降。三星电子正在投资，将其1c（第六代10纳米级）DRAM产能（将用于HBM4）今年提升至每月6万片晶圆。SK海力士一直在稳步进行转换投资，以扩大其1b（第五代10纳米级）DRAM产能。

事实上，市场研究公司Omdia最近将今年第四季度服务器用64GB DDR5内存的价格预测从255美元上调至276美元。此外，8GB 移动 DDR5 的价格从 18.7 美元上调至 19.2 美元，16GB PC DDR5 的价格从 44.7 美元上调至 46.5 美元。

IBK 投资证券研究员金云浩表示：“尽管设备投资处于历史最高水平，但晶圆产能正日益被 HBM 所吞噬，因此传统 DRAM 受到了结构性制约。” 他补充道：“即使通用 DRAM 需求增加，这种结构性失衡也阻碍了产能的积极扩张，明年这种局面可能会再次出现，市场可能面临价格的大幅上涨。”