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BM3G007MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册
该产品是保证在工业市场长期供应的产品。BM3G007MUV-LB非常适用于要求高功率密度和高效率的各种电子系统。通过将650V增强型GaNHEMT和Si...
BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册
该产品是保证在工业市场长期供应的产品。BM3G015MUV-LB非常适用于要求高功率密度和高效率的各种电子系统。通过将650V增强型GaN HEMT和S...
BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册
本产品是面向工业设备市场的优质产品,是适用于这些应用场景的最佳产品。BM3G005MUV-LB为所有需要高功率密度和高效率的电子系统提供了最优解决方案。...
BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册
本产品是面向工业设备市场的优质产品,是这些应用场景的理想之选。BM3G107MUV-LB为所有需要高功率密度和高效率的电子系统提供了最佳解决方案。通过将...
BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册
该产品是工业设备市场的一流产品。这是在这些应用中使用的最佳产品。BM3G115MUV-LB为所有需要高功率密度和高效率的电子系统提供了最佳解决方案。通过...
GNE1008TB 150V GaN HEMT 封装DFN5060 数据手册
GNE1008TB 是一款具有 8V 栅极电压的 150V GaNHEMT,属于EcoGaN™系列产品,利用该系列产品的低导通电阻和高速开关的特性,有助...
CG2H80015D氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)规格书立即下载
类别:IC datasheet pdf 2024-09-04 标签:晶体管氮化镓HEMT 785 0
QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手册立即下载
类别:IC datasheet pdf 2024-07-31 标签:GaNHEMT 234 0
类别:IC datasheet pdf 2022-03-31 标签:场效应管HEMT 1.1k 0
罗姆EcoGaN产品GaN HEMT被村田AI服务器电源采用
全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)的650V耐压、TOLL封装的EcoGaN产品GaN HEMT,被先进的日本电子元器...
HFG610-65 数据手册和产品介绍 具有集成 GaN HEMT 的高频准谐振反激式稳压器
HFG610-65 是一款集成 GaN HEMT 的准谐振 (QR) 反激式稳压器,专用于高性能和高频设计。与传统QR 反激式稳压器不同,HFG610-...
抢先领取!高压CoolGaN™ GIT HEMT可靠性白皮书推荐
高压CoolGaNGITHEMT(高电子迁移率晶体管)可靠性和验证的白皮书共33页,被翻译成中文和日文,主要介绍了英飞凌如何实现CoolGaN技术和器件...
电子发烧友网报道(文/黄山明)氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)作为新一代的半导体材料,因其禁带宽度大、临界击穿电场高、饱和电子漂移速度高等特...
GaN HEMT为什么不能做成低压器件 GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)是一种迅速崭露头角的高频功率器件,具有很高的电子迁移率、大的电子饱...
利用 HEMT 和 PHEMT 改善无线通信电路中的增益、速度和噪声
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