TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)power point.pptx
- 1. TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) Kelompok 3 : Adi Achmad N (2211151019) Reddy Satrio Adi (2211151020) AdityaWibisono (2211151021) Rikky Torang P.P (2211151022) Gilang Sahara P (221151023) Thomy Collin F S (2211151024) Adhitya Ari Poetra (2211151025)
- 2. PENGERTIAN TRANSISTOR BJT • Bipolar junction transistor (BJT) atau yang biasa dikenal dengan transistor bipolar merupakan komponen elektronika yang terdiri dari tiga lapis bahan semikonduktor, baik untuk yang bertipe PNP ataupun NPN. Pada setiap lapisan yang membentuk transistor tersebut memiliki nama-nama tersendiri (kolektor, basis, dan emitor). Dan pada tiap lapisan tersebut terdapat kontak kawat untuk koneksi ke rangkaian
- 3. Transistor bipolar: (a) simbol skematik PNP, (b) fisik PNP, (c) simbol skematik NPN, (d) fisik NPN
- 4. Gambar diatas adalah contoh bentuk Fisik dariTransistor Bipolar (BJT)
- 5. Menurut standar simbologi semikonduktor, arah panah selalu menunjukkan arah yang berlawanan dengan arah aliran elektron. Aliran elektron arus basis(arus pengendali) ditunjukkan panah kecil, dan aliran arus kolektor(arus yang dikendalikan) ditunjukkan pada panah yang tebal
- 6. SIFAT DAN KARAKTERISTIK BJT 1. Kurva Kolektor Gambar Kurva kolektor
- 7. a. Daerah aktif Daerah antara tegangan lutut (knee),VK dan tegangan dadal (breakdown),VBR serta diatas IB = ICO. Daerah aktif terjadi bila sambungan emitor diberi bias maju dan sambungan kolektor diberi bias balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus basis ( IC = IB). Tabel 1
- 8. b. Daerah saturation (jenuh) Daerah denganVCE lebih kecil dari tegangan lutut (VK). Daerah saturasi terjadi bila sambungan emitor dan basis sama-sama diberi bias maju. Pada daerah saturasi, arus kolektor (IC) tidak tergantung pada arus basis (IB). NilaiVCE (sat) transistor silikon = 0,2 volt NilaiVCE (sat) transistor germanium = 0,1 volt Tabel 2
- 9. c. Daerah cut-off (putus) Daerah yang terletak di bawah IB = ICO. Daerah cut-off terjadi bila sambungan kolektor dan emitor sama-sama diberi bias balik. Pada daerah cut-off, IE = 0 ; IC =ICO = IB. Tabel 3
- 10. d. Daerah breakdown (dadal) Daerah yang terletak di atas batas tegangan maksimum kolektor-emitor (VCE) suatu transistor.VCE maksimum pada beberapa jeni transistor adalah berbeda-beda. Pada kurva kolektor diatas terlihat, daerah breakdown terjadi setelahVCE transistor mencapai diatas ± 10 volt.Transistor tidak boleh bekerja pada daerah ini, karena transistor dapat menjadi rusak. Keterangan: VK = tegangan lutut (knee) IB = Arus basis ICO = Arus cut-off VCE = Tegangan kolektor-emitor VCE(sat) = Tegangan kolektor-emitor pada daerah saturasi
- 11. 2. Kurva Basis Kurva karakteristik basis merelasikan antara arus basis (IB) dan tegangan basis-emitor (VBE) dengan tegangan kolektor-emitor (VCE) sebagai parameternya. Gambar Kurva karakteristik basis
- 12. 3. Kurva Beta Kurva beta menunjukkan bahwa nilai akan berubah dengan dipengaruhi oleh suhu (T) dan arus β kolektor (IC). Berikut karakteristiknya: • Nilai bertambah jika suhu (T) naik. β • Nilai bertambah jika arus kolektor (IC) naik. β • Nilai turun jika arus kolektor (IC) naik di luar nilai tertentu. β • Gambar Kurva beta ( ) β
- 13. SEJARAH Transistor bipolar (BJT) diciptakan pada Desember 1947 di BellTelephone Laboratories oleh John Bardeen dan Walter Brattain dibawah arahan William Shockley.Versi pertemuan diciptakan pada tahun 1948. Setelah menjadi peranti pilihan untuk berbagai rangkaian, sekarang penggunaannya telah banyak digantikan oleh FET, baik pada sirkuit digital (oleh CMOS) ataupun sirkuit analog (oleh MOSFET dan JFET).
- 14. Keterangan: VC = tegangan kolektor VB = tegangan base VE = tegangan emiter. VCE = tegangan jepit kolektor VBE = tegangan jepit base VCB = tegangan jepit kolektor VS = tegangan sumber RS = hambatan sumber RE = hambatan emitor RC = hambatan kolektor RB = hambatan basis RL = hambatan beban (load)
- 15. TERIMA KASIH