技能梳理34@自举电路+无刷/有刷电机驱动电路

摘 要：本文给出一种适用于低电压高开关频率升压型DC-DC转换器的BiCMOS驱动电路。该驱动电路采用自举升压技术，工作电压最低可达1.5V，在负载电容为60pF条件下，工作频率高达5MHz。文章详细的介绍了此驱动电路的设计思想，并且给出了最终设计电路。关键词：低电压；DC-DC；自举升压；驱动电路 引言目前DC-DC转换器设计技术发展主要趋势有：(1)高频化技术：随着开关频率的提高，开关变换器的体积也随之减小，功率密度也得到大幅提升，动态响应得到改善。小功率DC-DC转换器的开关频率将上升到兆赫级；(2)低输出电压技术：随着半导体制造技术的不断发展，微处理器和便携式电子设备的工作电压

高压栅极驱动 IC 自举电路的设计与应用指南(驱动损坏分析)

本文讲述了运用于功率型MOSFET和IGBT设计高性能自举式栅极驱动电路的方法

双电机驱动原理图 从提供的文件【标题】和【部分内容】可以推断，这份文档主要涉及的是双电机驱动的电路原理图说明。在【描述】中提到经过调试确认电路正确可用，这说明了文件中的电路图已经成功应用并且被测试过。...

无刷直流电机与传统的有刷电机相比，具有结构简单、维护成本低、效率高等优点。在本文中，无刷直流电机被用作驱动轮，负责提供机器人的驱动力。无刷直流电机的换向依靠电子换向（电子开关）而不是机械刷，这使得电机...

一、电容自举驱动NMOS电路 VCC经过二极管D2、电容C2、电阻R1到地，所以加载在电容C2两端的电压约为14V。 图1电容自举驱动NMOS电路 （1） 当V1输入高电平时，Q1、Q4导通，B通道输出高电平，Q2截止，C通道输出高电平，Q3导通，D通道输出高电平48V，由于C2两端电压14V，所以Q3的导通使电容抬升了VDD的电压，即电容C2的正极电压位62V左右，经过三极管Q4、二极管D1到达Q3的栅极，电容C2起到了自举抬升电压的作用，使Q3持续导通。 （2） 当V1输入低电平时，Q1、Q4截止，B通道输出低电平，Q2导通，Q2的导通为Q3的栅极提供放电电路（栅极电压通过Q2、电阻R1放电），使得电容C2的负极电压接近0V，即D通道输出低电平。 图2 电容自举驱动NMOS电路仿真 二、MOSFET驱动电路 图3 MOSFET驱动电路 （1） 当V1=V2=5V时，Q1、Q4导通，Q2截止，VCC经过D2、Q4、D1、R4到达Q3的栅极，Q3导通；Q6、Q7截止，Q8导通，Q8的导通为Q5的栅极提供放电回路，Q5截止； （2） 当V1=V2=0

本设计是某官方开源资料，基于EG89M52 + EG3011 +EG1181 电动车控制器设计，见附件下载其原理图/PCB源文件等。EG3011 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电 路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器 中的驱动电路。EG3011参考电路截图: EG1181 是一款48V 电池供电降压型DC-DC 电源管理芯片，内部集成基准电源、振荡器、误差放大器、过热保护、限流保护、短路保护等功能，非常适合高压60V 以上场合应用。EG1181 应用在电动车48V 控制器系统中，能直接替代LM317、LM7815 或电阻型降压线性稳压器，具有高效率，高可靠性等特性，能大大降低整体控制器的温度，使整个系统能够更可靠工作。EG1181参考电路截图: EG89M52是一款低功耗、低成本、高性能的8位CMOS工艺的MCU。自带8K FLASH ROM，兼容MCS-51指令集及端口标准。快速指令周期，相同工作频率下，比标准的51效率高2~12倍。3.5～6.5V的电压范围及-40～85°C的工业级温度，使EG89M52能够工作在更加严酷的环境下，并且只有2mA～10mA的工作电流。 附件资料截图: